F50 膜厚測(cè)量?jī)x

F50可以非常簡(jiǎn)單地獲得最大直徑450毫米的樣品薄膜厚度分布圖。采用r-θ 極坐標(biāo)移動(dòng)平臺(tái)，可以快速定位所需的測(cè)試點(diǎn)并且實(shí)時(shí)獲得測(cè)試厚度，大約每秒測(cè)試兩點(diǎn)。

相關(guān)應(yīng)用：半導(dǎo)體制造（光刻膠、氧化物/氮化物/SOI、晶圓背面研磨）；LCD 液晶顯示器（聚酰亞胺、ITO 透明導(dǎo)電膜）；光學(xué)鍍膜（硬涂層、抗反射層）；MEMS 微機(jī)電系統(tǒng)（光刻膠、硅系膜層）。

P7 臺(tái)階儀

P-7可以對(duì)臺(tái)階高度、粗糙度、翹曲度和應(yīng)力進(jìn)行2D和3D測(cè)量，其掃描可達(dá)150mm而無(wú)需圖像拼接。

相關(guān)應(yīng)用：薄膜/厚膜臺(tái)階；蝕刻深度量測(cè)；光阻/光刻膠臺(tái)階；柔性薄膜；表面粗糙度/平整度表征；表面曲率和輪廓分析；薄膜的2D stress量測(cè)；表面結(jié)構(gòu)分析；表面的3D輪廓成像；缺陷表征和缺陷分析。

F54-XY-200 薄膜厚度測(cè)量?jī)x

F54-XY-200配備自動(dòng)化薄膜厚度繪圖系統(tǒng)，借助F54-XY-200先進(jìn)的光譜反射系統(tǒng)，可以快速輕松地測(cè)量最大200 x 200mm樣品的薄膜厚度。

相關(guān)應(yīng)用：半導(dǎo)體制造（光刻膠、氧化物/氮化物/SOI、晶圓背面研磨）；LCD 液晶顯示器（聚酰亞胺、ITO 透明導(dǎo)電膜）；光學(xué)鍍膜（硬涂層、抗反射層）；MEMS 微機(jī)電系統(tǒng)（光刻膠、硅系膜層）。

Profilm3D 白光干涉光學(xué)輪廓儀

Profilm3D 使先進(jìn)的垂直干涉掃描 (WLI) 與高精度的相位干涉 (PSI) 技術(shù)。以強(qiáng)大的性價(jià)比實(shí)現(xiàn)次納米級(jí)的表面形貌研究。

相關(guān)應(yīng)用：粗糙度測(cè)量;三維形貌表征;臺(tái)階高度測(cè)量

FS-1 多波長(zhǎng)橢偏儀

Film Sense FS-1多波長(zhǎng)橢偏儀采用壽命長(zhǎng) LED 光源和非移動(dòng)式部件橢偏探測(cè)器，可在操作簡(jiǎn)單的緊湊型橢偏儀中實(shí)現(xiàn)可靠地薄膜測(cè)量。

相關(guān)應(yīng)用：二氧化硅和氮化物，高介電和低介電材料，非晶和多晶材料，硅薄膜，光刻膠。高和低指數(shù)薄膜，如 SiO2, TiO2, Ta2O5, MgF2 。TCO（如 ITO），非晶硅薄膜，有機(jī)薄 膜（OLED 技術(shù)）等